1．MOS管低頻小信號模型
因為在許多模仿電路中，MOS管被偏置在飽滿區，所以主要推導出在飽滿區的小信號模型。所謂小信號是指對偏置的影響十分小的信號，關于MOS管而言，其小信號是相關于過驅動電壓( VGS -Vth)[而言的（這將在第2章中進行解說）。
由前面的剖析可知：在飽滿區時MOS管的漏極電流足柵／源電壓的函數，可引入一個壓控電流源來表明，其電流值為gmVGS，且因為柵／源之間的低頻阻抗很高，因而可得到一個抱負的MOS管的小信號模型，如圖1.16 (a)所示。
MOS管低頻小信號模型
實踐的模仿集成電路中MOS管存在著二階效應：溝道調制效應、襯底偏置效應等，因而有必要考慮二階效應時MOS管的小信號等效模型。
因為溝道調制效應等效于漏／源之間存在的電阻ro;而襯底偏置效應則體現為背柵效應，即可用漏／源之間的等效壓控電流源gmbVBS表明，因而MOS管在飽滿區的小信號等效模型如圖1.16 (b)所示。
圖1.16所示的等效電路是最基本的，依據MOS管在電路中不同的接法能夠進一步簡化。
2.MOS管高頻小信號等效電路
在高頻應用時，MOS管的分布電容就不能疏忽，即在考慮高頻溝通小信號作業時有必要考慮MOS管的分布電容對電路功能的影響，所以MOS管的高頻小信號等效電路能夠在其低頻小信號等效電路的基礎上參加MOS管的極間電容完成，如圖1.17所示。
因為在不同作業狀況（截止、飽滿、線性）時MOS管的分布電容值不同，因而若進行詳細的核算比較困難，但能夠經過軟件模仿進行剖析。
另外，在高頻電路中有必要注意其作業頻率受MOS管的最高作業頻率的約束（即電路的工作頻率，如高于MOS管的最高作業頻率時，電路不能正常工作）。
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