在半導體電子應用過程中，場效應管（簡稱MOS管）經常會出現發熱嚴重的現象，那么是什么原因才會導致MOS管嚴重發熱？
首先我們需要了解MOS管的構造原理，如下圖：
從上圖可以看出，場效應管（MOS管）是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件，進一步可以劃分為有N溝道器件和P溝道器件，關于MOS管的詳細介紹可以通過上文《細說MOS管一》和《細說MOS管二》
結合細說MOS管一和細說MOS管二的內容，我將MOS管發熱嚴重的原因總結為以下四點：
第一點：電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤；
第二點：MOS管頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了；
第三點：電路板沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片；
第四點：MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
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