如圖二所示，典型應(yīng)用電路是由驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道MOSFET管或IGBT組成的半橋驅(qū)動(dòng)電路。固定的柵極參考輸出通道(L0)用于下端連接的功率場(chǎng)效應(yīng)管T2，浮動(dòng)的柵極輸出通道(HO)用于上端連接的功率場(chǎng)效應(yīng)管T1。以驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET管為例來介紹。功率MOS—FET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，沒有少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大，其等效電路圖一所示。
圖二
輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反饋電容Crss與極間電容的關(guān)系可表示為：
IR21844不能產(chǎn)生負(fù)偏壓，如果用于驅(qū)動(dòng)橋式電路，由于極間電容的存在，在開通和關(guān)斷時(shí)刻，柵漏極間的電容CGD有充放電電流，容易在柵極上產(chǎn)生干擾。針對(duì)這一不足，可以在柵極限流電阻(R1和R2)上分別反并聯(lián)一個(gè)二極管(D3和D4)來解決，該二極管可以加快極間電容上的電荷的放電速度。
功率器件的柵源極的驅(qū)動(dòng)電壓一般為CM()S電平(5～20 V)，因此要在柵極增加保護(hù)電路。電路中穩(wěn)壓二極管D5、D6限制了所加?xùn)艠O電壓，電阻R1、R2進(jìn)行分壓，同時(shí)也降低了柵極電壓。功率器件T1、T2在開關(guān)過程中會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓，這些浪涌電壓會(huì)損壞元件，所以電路中采用穩(wěn)壓二極管D5、D6鉗位浪涌電壓。
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