MOS控制晶閘管由VAK Temple開發。它是一個電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶閘管非常相似，但是它具有電壓控制絕緣的柵極。它具有兩個用于導通和關斷的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），并且在等效電路中具有相反的導電率。如果等效電路有一個晶閘管并用于接通，則稱為MOS門控晶閘管。
什么是MOS控制晶閘管？
MOS控制晶閘管是一種功率半導體器件。它具有通過MOS門控的電流和晶閘管電壓的能力，用于接通和關斷目的。它用于大功率應用，例如大功率，大頻率，低傳導性，并用于后續工藝。以下符號是如下所示的P-MCT和N-MCT。
P-MCT和N-MCT的電路符號
MOS控制晶閘管的工作原理
下圖顯示了MOS控制晶閘管的工作原理。它是通過MOS門控將電流和電壓功能結合在一起的。MOS門控用于MCT的開關ON / OFF。
MOSFET接通時MCT
通過使用負電壓脈沖，器件相對于陽極處于導通狀態。借助于陽極和柵極端子之間的電壓脈沖，使柵極端子相對于陽極為負。因此，MOS控制晶閘管處于導通狀態。在啟動階段，MOS控制晶閘管為正向偏置。如果將負電壓施加到負電壓脈沖，則導通模式FET導通，并且截止FET模式已經存在為截止狀態。
MOSFET接通MCT
當FET處于導通狀態時，電流從陽極流經導通FET，然后流經基極電流和發射極端子的npn晶體管，最后電流流經陰極。因此，該過程使npn晶體管導通。如果OFF FET為OFF模式，則NPN晶體管用作PNP晶體管的基極電流。類似地，如果兩個晶體管均處于導通狀態并且發生相關動作，則PNP晶體管導通，因此MCT導通。
MOSFET關斷時MCT
借助正電壓脈沖關閉設備。相對于陽極施加到柵極端子。然后，OFF FET切換到ON模式，而ON FET切換到OFF狀態。如果OFF FET導通，則pnp晶體管會因發射極端子和基極端子短路。因此，陽極電流流過OFF FET。因此，NPN晶體管的基極電流減小。反向電壓阻斷能力是該設備的缺點。
等效電路圖
下圖顯示了MOS控制晶閘管的等效電路圖。該電路由兩個N溝道MOSFET晶體管組成，另一個是P溝道。P通道用于打開FET，n通道用于關閉OFF FET。該電路由兩個晶體管組成，分別是npn和pnp晶體管。如果將這兩個晶體管連接在一起以形成MOS控制晶閘管的npnp結構。p溝道MOSFET由從柵極端子連接的箭頭標識。
MOS控制晶閘管的等效電路圖
MOS控制晶閘管的應用
MOS控制晶閘管的應用包括以下內容：
• MOS控制晶閘管用于斷路器。
• 它用于高功率應用，例如高功率轉換。
• MOS控制晶閘管用于感應加熱。
UPS系統
• 它也用于DC-DC轉換器之類的轉換器中。
• 可變功率因數，操作在MCT中用作強制功率開關。
MCT的優勢
• MOS控制晶閘管的正向導通壓降低。
• 它具有低開關損耗。
• 它具有較高的柵極輸入阻抗。
• 它可以非常快速地打開/關閉。
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