對于基本的二極管連接的 mosfet，我們都知道其阻抗約為 1/gm。在實際電路中，也有其他類似的接法，如對于下圖中 A,B 分別所示的電阻方式的連接：圖中 A 在考慮調零電阻對輸出阻抗影響時有類似的問題，而 B 則見于自偏置方式的 cascode 接法。這里，我們來看下各自的等效阻抗的變化。
對于 A 結構
在考慮直流情況下, 電阻上沒有電流流過, 實際X點和Y點電位相等, 可以認為和基本的二級管連接的電路相同, 其等效阻抗為 1/gm.
我們也可以分析其小信號電路, 注意這里考慮 X 點對地的電容 Cx, 通過分析可以得到在 Y 點看到的阻抗為： Ry=(1+s*Cx*R)*rds/[1+gm*rds+s*Cx*(rds+R)]
若忽略 rds, 可簡化為：
Ry=(1/gm)*(1+s*Cx*R)/(1+s*Cx/gm)，
在直流下, Ry=rds/(1+gm*rds), 同樣可以看出其阻抗近似為 1/gm
需要注意的是，若使得 R=1/gm，則 Ry 表達式中零極點可以對消，從而得到更好的頻率響應，這也是有些高速電流鏡采用類似結構的原因，如下圖所示。
高速電流鏡
對于 B 結構
若不考慮寄生電容的影響，對電路分析可以得到：
1. Vx=Vy-Iy*R
2. Iy=gm*Vy+Vx/rds
計算簡化之后, 可以得到 Y 節(jié)點的等效阻抗為：
Ry=(rds+R)/(1+gm*rds), 近似為 (1+ R/rds)/gm, 可以看出仍是 1/gm 量級。
上面的結果同樣可以通過反饋的考慮得到， 只是需要注意此時的環(huán)路增益為 gm*rds 而不是 gm*(R+rds), 這實際上可以和 Cascode 的增益 gm1*ro1*（1+gm2*ro2）對比，若 Cascode 管 gm2=0，即變?yōu)楹唵坞娮?ro2 串聯(lián)在輸入管上，增益變?yōu)?gm1*ro1.
具體的小信號分析可見下圖：
開環(huán)等效電路
上圖中將 Y 節(jié)點的反饋斷開，考慮電阻 R 一端接電流源，故認為開路，因此反饋的電壓
Vy,out=Vy,in * gm*(R+rds)
考慮到電路在輸出為電壓（并聯(lián)）反饋，因此加入反饋后阻抗變?yōu)? Ry=(rds+R)/(1+gm*rds)
利用類似的分析，同樣可以得到 X 節(jié)點的等效阻抗，注意此時是在 X 節(jié)點注入一個小信號電流看其等效阻抗，得到的結果與 A 結構類似：Rx=rds/(1+gm*rds)。這里需要注意的是 X 節(jié)點的等效阻抗比 Y 節(jié)點的等效阻抗更小。
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