下面的這個電路。
2 個 PMOS 并聯(lián)
電路描述：Q3 是三極管，Q1 和 Q2 是 PMOS 管，左右兩邊的+12V 是輸入，VIN 是輸出，用來給模塊供電，PHONE_POWER 是控制信號。
電路邏輯：PHONE_POWER 輸出高電平時，Q3 導通，Q1 和 Q2 導通，VIN=+12V；PHONE_POWER 輸出低電平時，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
所以看起來這個電路很簡單，問：為什么用兩個 PMOS，Q1 和 Q2，用一個 PMOS 是不是也可以？
懂得人一看就知道了，Q1 和 Q2 導通時，左右兩邊 12V 并聯(lián)增加電流，為的是提高 VIN 的帶載能力，或者換個說法是：VIN 負載電流比較大，用兩個 PMOS 管分流。
舉個例子：如果 VIN 負載最大電流為 1A，用一個 PMOS 管，電流都會加在這個 MOS 管的 DS 上，選型時 PMOS 的 IDS 電流至少得 1A 以上；如果用兩個 PMOS，每個 PMOS 管的 IDS 電流是不是在 0.5A 以上即可。
所以這么設計的目的是為了節(jié)省成本，可能 1 個 IDS=1A 電流的管子比 2 個 IDS=0.5A 的管子貴。
問題來了，流過 Q1 和 Q2 的電流都是 0.5A 嗎？
如果流過 Q1 的電流是 0.6A，流過 Q2 的電流是 0.4A，那 Q1 過流發(fā)熱不就燒壞了？可能有人說了 Q1 燒壞了，還有 Q2，難道 Q2 不會再燒壞嗎？答案是 Q2 肯定會壞。
那有人說了，Q1 和 Q2 用同樣型號的 PMOS 管不就行了，這樣兩個管子的 Rdson（導通內阻）一樣，流過的電流肯定也一樣。
但是實際上，因為制造工藝的影響，同一型號同一批次的兩個管子，Rdson 和其他參數(shù)不可能做到完全一樣。
看到這里你可能覺得很有道理，就算用一樣的型號，流過兩個 MOS 管的電流也不一樣！那是不是這個電路就無法使用了？
上述電路可以使用，使用時需要注意的點：
第 1：Q1 和 Q2 最好用同一型號，且 IDS 需要留有一定的余量，負載電流如果最大 1A，兩個 PMOS 的 IDS 可以選擇 0.6~0.7A 左右，這樣就有 200mA~400mA 的余量。
第 2：這一點非常重要，這也是我沒有想到的，被一位大佬一語點醒，這個電路可以實現(xiàn)「均流」，什么叫均流，也就是流過 Q1 和 Q2 的電流肯定是一樣的。
流過 Q1 和 Q2 的電流大小取決于 Rdson 參數(shù)。
第 1 點已經(jīng)說了，Q1 和 Q2 使用同一型號的管子，可能因為制造工藝影響，假設 Q1 的 Rdson 比 Q2 的 Rdson 小，那么流過 Q1 的電流會比流過 Q2 的電流大。
但是有一點我們需要注意，MOS 管的導通內阻和溫度是呈正系數(shù)關系，也就是說隨著溫度的升高，內阻會變大，因為流過 Q1 的電流比 Q2 大，所以 Q1 的溫升肯定比 Q2 高，這時候 Q1 的內阻會變大，內阻變大帶來的效果是流過 Q1 的電流又會變小，這不是個完整的負反饋嗎，完美的實現(xiàn)了均流。
2 個 PMOS 串聯(lián)
如果說上面的是兩個 MOS 管并聯(lián)，下面這個圖是兩個 MOS 管串聯(lián)，VIN 是輸入，VOUT 是輸出。
電路邏輯：PHONE_POWER 輸出高電平時，Q3 導通，Q1 和 Q2 導通，VIN=VOUT；PHONE_POWER 輸出低電平時，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
電路作用：針對上面后一點，在 2 個 MOS 管關閉的情況下，如果調試需要外接 VOUT，可以防止 VOUT 的電串到 VIN 上面，利用的是 Q1 體二極管反向截止特性（左正右負）。
如果沒有 Q1，那么 VOUT 直接從 Q2 的體二極管（左負右正）串電到 VIN 上面。
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