在現(xiàn)代工業(yè)中，采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用越來越多。為了保證可靠的運(yùn)行，應(yīng)當(dāng)避免橋臂直通。橋臂直通將產(chǎn)生不必要的額外損耗，甚至引起發(fā)熱失控，結(jié)果可能導(dǎo)致器件和整個逆變器被損壞。
下圖畫出了IGBT一個橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行時，兩個IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個器件同時導(dǎo)通，則電流急劇上升，此時的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。
圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)
當(dāng)然， 沒有誰故意使兩個IGBT同時開通，但是由于IGBT并不是理想開關(guān)器件，其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的。為了避免IGBT橋臂直通，通常建議在控制策略中加入所謂的“互鎖延時時間”，或者通常叫做“死區(qū)時間”。這意味著其中一個IGBT要首先關(guān)斷，然后在死區(qū)時間結(jié)束時再開通另外一個IGBT，這樣，就能夠避免由開通時間和關(guān)斷時間不對稱造成的直通現(xiàn)象。
1. 死區(qū)時間對逆變器工作的影響
死區(qū)時間一方面可以避免橋臂直通，另一方面也會帶來不利影響。以圖2為例，首先假設(shè)輸出電流按圖示方向流動，而IGBT T1由開通到關(guān)斷，經(jīng)過一小段死區(qū)時間后IGBT T2由關(guān)斷到開通。 在有效死區(qū)時間內(nèi)，兩個開關(guān)管都是關(guān)斷的，且續(xù)流二極管D2流過輸出電流。此時負(fù)的直流電壓加在輸出側(cè)，此時電壓極性符合設(shè)計(jì)的要求。考慮另一種情況，T1由關(guān)斷到開通，而T2由開通到關(guān)斷，此時，由于電流還是沿著同一個方向，這一電流在死區(qū)時間依然流過，因此輸出電壓還是為負(fù)值，此時電壓極性不是設(shè)計(jì)希望得到的。結(jié)論可以總結(jié)如下：在有效死區(qū)時間里，輸出電壓由輸出電流決定，而非控制信號。
圖2 電壓源逆變器的一個橋臂
如果我們假設(shè)輸出電流的方向與圖2所示相反，那么當(dāng)T1由開通到關(guān)斷，而T2由關(guān)斷到開通時，也同樣會出現(xiàn)類似上述情況。因此一般情況下，輸出電壓與輸出電流會隨著死區(qū)時間的加入而失真。如果我們選擇過大的死區(qū)時間，對于感應(yīng)電機(jī)的情況，系統(tǒng)將會變得不穩(wěn)定。因此， 仔細(xì)計(jì)算死區(qū)時間。
本文主要講述如何在實(shí)踐中測量IGBT的延遲時間，以及如何根據(jù)測量值正確地計(jì)算控制死區(qū)時間。
2. 計(jì)算合適的死區(qū)時間
如上所述，選擇死區(qū)時間時，一方面應(yīng)讓它滿足避免橋臂直通的要求，另一方面應(yīng)讓它盡可能地小，以確保電壓源逆變器能正常工作。
2.1 計(jì)算死區(qū)時間的方法
我們用下列公式計(jì)算控制死區(qū)時間：
其中，
td_off_max：關(guān)斷延遲時間。
td_on_min：開通延遲時間。
tpdd_max：驅(qū)動器傳輸延遲時間。
tpdd_min：驅(qū)動器傳輸延遲時間。
1.2：安全裕度。
在該公式中，項(xiàng)td_off_max-td_on_min為關(guān)斷延遲時間和開通延遲時間之差。這一項(xiàng)主要描述IGBT器件結(jié)合所用的門極電阻的特性。由于上升和下降時間通常比延遲時間短很多，這里就不考慮它們。另一項(xiàng)tpdd_max-tpdd_min為由驅(qū)動器決定的傳輸延遲時間之差（延遲時間不匹配）。該參數(shù)通常可在驅(qū)動器制造商提供的驅(qū)動器數(shù)據(jù)表中查找到。對于基于光耦合器的驅(qū)動器，該參數(shù)值通常很大。
有時可以用典型的數(shù)據(jù)表值乘以來自現(xiàn)場經(jīng)驗(yàn)的安全系數(shù)來計(jì)算死區(qū)時間，但通常不夠準(zhǔn)確。因?yàn)镮GBT數(shù)據(jù)表只提供標(biāo)準(zhǔn)工況對應(yīng)的典型值，我們有必要獲得特殊驅(qū)動工況對應(yīng)的值。為此，必須進(jìn)行一系列測量，以獲得合適的延遲時間值，然后計(jì)算死區(qū)時間。
2.2 開關(guān)及延遲時間定義
按以下方式定義IGBT的開關(guān)時間：
td_on：從Vge上升10%到Ic上升10%的時間。
tr：從10% Ic到90% Ic的時間。
td_off：從90% Vge到90% Ic的時間。
tf：從90% Ic到10% Ic的時間。
2.3 IGBT門極電阻及驅(qū)動器輸出阻抗的影響
門極電阻設(shè)置會顯著地影響開關(guān)延遲時間。一般來說，電阻越大則延遲時間越長。建議在實(shí)際應(yīng)用的專用門極電阻條件下測量延遲時間。典型的開關(guān)時間與門極電阻的關(guān)系圖如下圖所示：
圖4 開關(guān)時間與Rg在25°C時的關(guān)系圖圖5 開關(guān)時間與Rg在125°C時的關(guān)系圖
所有試驗(yàn)都是用FP40R12KT3模塊進(jìn)行的，門極電壓為-15V/+15V，DC link電壓為600V，開關(guān)電流為標(biāo)稱電流40A
2.4 其他參數(shù)對延遲時間的影響
除門極電阻值外，還有其它參數(shù)對延遲時間有顯著影響：
? 集電極電流
? 門極驅(qū)動供電電壓
2.4.1 開通延遲時間
為了估計(jì)這一影響，須進(jìn)行一系列測量。先研究開通延遲時間與電流之間的關(guān)系。結(jié)果如下圖所示：
圖6 開通延遲時間與開關(guān)電流Ic的關(guān)系圖
所有試驗(yàn)采用FP40R12KT3模塊，DC link電壓為600V，門極電阻根據(jù)數(shù)據(jù)表值選擇。
從以上結(jié)果中可以看出，集電極電流Ic發(fā)生變化時，開通延遲時間幾乎保持不變。-15V/+15V的門極電壓下的開通延遲時間，比0V/+15V的門極電壓條件下要長。但該變化很小，且考慮到額外的安全裕量，因此可以忽略不計(jì)。
2.4.2 關(guān)斷延遲時間
關(guān)斷延遲時間是計(jì)算死區(qū)時間時應(yīng)考慮的重要因素。因?yàn)樵撝祹缀跬耆珱Q定終計(jì)算的死區(qū)時間是多長。所以我們將詳細(xì)地研究該延遲時間。
要想獲得關(guān)斷延遲時間，必須考慮到以下問題：
1.IGBT器件自身產(chǎn)生的開通延遲時間是多少？
2.如果IGBT的閾值電壓為數(shù)據(jù)手冊中的值，那么關(guān)斷延遲時間是多少？（這個值反映了模塊間Vth允許的誤差）
3.驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響？
4.雙極晶體管輸出電平的驅(qū)動器有何影響？
考慮以上變量，我們使用FP40R12KT3和視為理想的驅(qū)動器在實(shí)驗(yàn)室對關(guān)斷延遲時間進(jìn)行了測試。測試條件為Vdc=600V，Rg=27?。測試結(jié)果如下圖所示：
關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖
從測試結(jié)果可知，隨著開關(guān)電流Ic的減小，關(guān)斷延遲時間顯著增加。因此僅僅通過選定門極驅(qū)動電阻來簡單地計(jì)算死區(qū)時間是不夠的。在特定的驅(qū)動條件下測量延遲時間，然后再根據(jù)測量值來計(jì)算死區(qū)時間是一個更好且更的方法。通常情況下，通過測量1%常規(guī)電流條件下的延遲時間，足以計(jì)算需要的死區(qū)時間。
這里還應(yīng)考慮一個問題，即，采用0V/+15V的門極驅(qū)動電壓時，關(guān)斷延遲時間會增加，而且采用0V/+15V的驅(qū)動電壓時，驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響會更大。這意味著使用0V/+15V驅(qū)動電壓時，需要特別注意對驅(qū)動器的選擇。另外，集電極電流Ic較小時導(dǎo)致td_off增加的問題也需要考慮。
3. 如何減小死區(qū)時間
為了正確計(jì)算控制死區(qū)時間，應(yīng)當(dāng)考慮以下驅(qū)動條件：
? 給IGBT施加的門極電壓是多少？
? 選擇的門極電阻值是多少？
? 驅(qū)動器的輸出電平是什么類型？
基于這些條件，可以進(jìn)行延遲時間的測試，然后通過測試結(jié)果，使用公式(1)計(jì)算控制死區(qū)時間。由于死區(qū)時間對逆變器的性能有著負(fù)面影響，死區(qū)時間需要減小到值。可以采用下列幾種方法：
·采用足夠大的驅(qū)動器來給IGBT門極提供峰值灌拉電流。
·使用負(fù)電壓來加速關(guān)斷。
·選擇快速傳遞信號的驅(qū)動器，比如使用基于無磁芯變壓器技術(shù)的驅(qū)動器會好于使用傳統(tǒng)光耦技術(shù)的驅(qū)動器。
·如果選用0V/15V的驅(qū)動電壓，那么應(yīng)該考慮使用獨(dú)立的Rgon/Ggoff電阻。
從2.3節(jié)顯示的測量結(jié)果中可以看出，Td_off與門極電阻值有很強(qiáng)的相關(guān)性。如果Rgoff減小，則td_off及死區(qū)時間都會減少。英飛凌建議，在使用0V/15V的門極電壓時，Rgoff值應(yīng)減小至Rgon值的1/3。一種使用獨(dú)立的Rgon和Rgoff的電路如下所示：
門極電壓為0V/15V時建議使用的電路
R1的值應(yīng)滿足以下關(guān)系：
從公式中可以看出，要想讓R1為正值，Rgon必須大于2Rgint。但在一些模塊中，這個要求并不可能滿足。這種情況下，R1可以完全忽略。
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