測試對比
以下通過實(shí)測兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來說明驅(qū)動電流建立時(shí)間對驅(qū)動速度的影響。
表格1對比了SLM2184S和IR2184S的各項(xiàng)測試。雖然SLM2184S的峰值源電流[IO+]和峰值灌電流[IO-]比IR2184S的測試值偏小，但是SLM2184S的電流建立時(shí)間遠(yuǎn)比IR2184S的建立時(shí)間更短。
表格 1：SLM2184S 和IR2184S驅(qū)動電流和驅(qū)動時(shí)間的對比
實(shí)測：SLM2184S vs IR2184S驅(qū)動測試對比
圖5~圖16: 實(shí)測SLM2184S的驅(qū)動電流和驅(qū)動時(shí)間的波形。
圖17~圖28: 實(shí)測IR2184S的驅(qū)動電流和驅(qū)動時(shí)間的波形。
SLM2184S驅(qū)動測試波形
IR2184S驅(qū)動測試波形
測試總結(jié)
從以上實(shí)驗(yàn)測試可以看到，驅(qū)動芯片的驅(qū)動速度不僅取決于驅(qū)動電流的大小，還受到諸如驅(qū)動電流建立時(shí)間、MOSFET的輸入電容等因素的影響。
有些驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流雖然比較大，但由于它的電流上升和下降速度很慢，并沒有很好地發(fā)揮大驅(qū)動電流的作用，甚至在大部分應(yīng)用場合下驅(qū)動速度（tr和tf）不如驅(qū)動電流小的驅(qū)動芯片。
因此，在選擇驅(qū)動芯片的時(shí)候，不僅要關(guān)注驅(qū)動電流的大小，也要關(guān)注在一定負(fù)載電容下的上升、下降時(shí)間。當(dāng)然最為妥當(dāng)?shù)霓k法是根據(jù)實(shí)際選擇的功率管測量驅(qū)動端的波形，從而判斷是否選擇了合適的驅(qū)動芯片。
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