MOS管并聯均流影響
隨著電力電子技術的迅速發(fā)展，MOS管以其高頻性能好、開關損耗小、輸入阻抗高、驅動功率小、驅動電路簡單等優(yōu)點在高頻感應加熱電源中得到了廣泛的應用。但是，MOS管容量的有限也成了亟待解決的問題。
從理論上講，MOS管的擴容可以通過串聯和并聯兩種方法來實現，實際使用中考慮到其導通電阻RDS(on)具有正溫度系數的特點，多采用多管并聯來增加其功率傳導能力。
1.影響MOS管并聯均流的因素
在MOS管多管并聯時，器件內部參數的微小差異就會引起并聯各支路電流的不平衡而導致單管過流損壞，嚴重情況下會破壞整個逆變裝置。影響并聯均流的因素包括內部參數和外圍線路參數。
2.內部參數對并聯均流的影響
影響功率MOSFET并聯均流的內部參數主要有閾值電壓VTH、導通電阻RDS(on)、極間電容、跨導gm等。內部參數差異會引起動態(tài)和靜態(tài)不均流。
因此，要盡量選取同型號、同批次并且內部參數分散性較小的MOSFET加以并聯。
3.外圍線路參數對并聯特性的影響
MOSFET并聯應用時，除內部參數外，電路布局也是一個關鍵性的問題。在頻率高達MHz級情況下，線路雜散電感的影響不容忽視，引線所處電路位置的不同以及長度的很小變化都會影響并聯開關器件的性能。
影響功率MOSFET并聯均流的外電路，參數主要包括：柵極去耦電阻Rg、柵極引線電感Lg、源極引線電感Ls、漏極引線電感Ld等。在多管并聯時一定要盡量使并聯各支路的Rg及對應的各引線長度相同。
MOS管在并聯均流的注意事項：
無論在開通，關斷，導通過程中流過MOS管，電流都會讓MOS管工作在安全區(qū)內，MOS管安全作用得保障。MOS管并聯均流技術，可以保證MOS管工作在安全工作區(qū)內，可提高并聯電路工作可靠性。
1.開通Td(on)與關斷延遲時間td(off)：
開通上升、關斷下降時間，在同一驅動脈沖作用下，開通、關斷、上升、下降不同 ，引起MOS管開通或關斷時刻不同，引起先開通或后關斷的MOS 管流過整個回路電流，此時電流偏大，不限制，對MOS 管安全工作造成威脅。
2.開啟電壓VGSth
同一驅動脈沖作用，開啟電壓不同，引起MOS管開通時間不同，引起先開通MOS管先流過整個回路電流，此刻電流很大，應該限制，不然后對MOS管安全工作造成威脅；
3.驅動極回路驅動輸入電阻，等效輸入電容，等效輸入電感，都會造成引起MOS管開通或判斷時間不同；
4.飽和壓降VDs或導通RDSon
所有并聯MOS管，導通壓降是相同的，飽和電壓小MOS管先流過較大電流，結溫升高，MOS管壓降增大，流過MOS管壓降大MOS管電流又會增大，致減輕MOS管壓降小MOS管工作壓力。
N溝道功率型MOS管飽和壓降VDs或導通電阻RDSon有正溫度特性，適合并聯。
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