各自的作用：
主要保護(hù)GS極，限制Vgs間的最大電壓。 (其一)保護(hù)DS極，其二)起到回流二極管作用，其三)為過(guò)電流或電感提供反向通路，其四)防止d、s極反向連接，其五)隔離。
各自的應(yīng)用：防止反接
1)正接時(shí)，體二極管開(kāi)始導(dǎo)通，“3”位置電壓為0.6V左右，“1”位置電壓為Vcc、Vgs閾值電壓、Q1導(dǎo)通，體二極管短路。 在反向連接的情況下，Q1為反向偏置，Vgs=0，電路不通。
2)正接時(shí)，體二極管導(dǎo)通，“2”位置電壓19.4V，“4”位置電壓0、Q2導(dǎo)通，然后體二極管短路。 逆接時(shí)電路不通。
注意：增強(qiáng)型NMOS在施加?xùn)艠O電壓時(shí)會(huì)形成電場(chǎng)，電流方向?yàn)閐、s，是任意的。 這里與普通的電子開(kāi)關(guān)連接方法不同，體二極管在電子開(kāi)關(guān)中主要起到關(guān)斷的作用。 d、s在這兩種應(yīng)用中連接方法正好相反。
隔離作用：
控制信號(hào)來(lái)自電源適配器，插入適配器后Q2截止，負(fù)載由適配器提供； 斷開(kāi)適配器后，柵極電壓變?yōu)?，Q2導(dǎo)通。 此時(shí)，由電池供電。
另外，在高速開(kāi)關(guān)的情況下，由于體二極管的速度過(guò)慢，損耗大，所以通常在管外并聯(lián)連接高速恢復(fù)或肖特基二極管。
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