PMOS開關(guān)電路
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現(xiàn)。
電路分析
如下圖所示R5模擬后級負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS<VGSth導(dǎo)通，R5負(fù)載上電，關(guān)斷時負(fù)載下電。
電路中R3為三極管Q2的限流電阻，R4為偏置電阻，R1R2為Q1的柵極分壓電阻，C1C2為輸出濾波電容。
問題分析
當(dāng)Q1導(dǎo)通上電瞬間電容兩端電壓不能突變會出現(xiàn)很高的沖擊電流。此電流很可能會損壞MOS管或者觸發(fā)前級電源的過流保護(hù)，所以此沖擊電流并不是我們想要的。接下來給R3端口加單脈沖激勵源，觀察Q1(D)處的沖擊電流。
通過仿真觀察電流記錄數(shù)據(jù)圖表發(fā)現(xiàn)Q1(D)處的電流峰值為約20A，穩(wěn)態(tài)電流為1A。峰值較大給電路造成很大壓力，接下來我們要想辦法將此沖擊電流降下來，保障電路的安全。
故障分析
MOS的可以等效成下圖右側(cè)的電路模型，
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，
輸出電容Coss=Cgd+Cds，
反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。
從MOS的啟動波形可以看出MOS管開啟過程主要受Cgs和Cgd共同影響。如果延長開啟過程主要是延長t1—t2階段和t2—t3階段，在負(fù)載確定的情況下主要是增大Cgs和Cgd等效電容來實現(xiàn)。
仿真實踐
在原有電路中加入C3和C4 100nF電容
仿真得出啟動時電流波形為，其中紅線為Q1的Vgs波形綠線為C4(1)測到的啟動電流波形。
明顯對比之前不加C3、C4電容時啟動沖擊電流波形峰值下降，開通時間變長，并且尖峰后移。
調(diào)整C3和C4的值為1000nf時，效果更加明顯。
實驗結(jié)論
實驗得出增加MOS的Cgs和Cgd可實現(xiàn)開通緩啟動功能，保護(hù)MOS不受到?jīng)_擊損壞。
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