HTRB 高溫反偏測(cè)試
高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-108
測(cè)試條件為：Tj = max, Vds=80% of Vdsmax, Vgs=0
測(cè)試原理圖如下：
在測(cè)試中，需持續(xù)監(jiān)測(cè)MOSFET源極-漏極的漏電流，如果漏電流超過 電源 設(shè)定上限，則可以判定為失效。
HTGB 高溫門極反偏測(cè)試
高溫門極反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證柵極漏電流的穩(wěn)定性，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET柵極氧化層。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： JESD22-108
測(cè)試條件為：Tj = max, Vgs=100% of Vgsmax, Vds=0
測(cè)試原理圖如下：
在測(cè)試中，需持續(xù)監(jiān)測(cè)門極的漏電流和門極電壓，若這兩項(xiàng)參數(shù)超出指定規(guī)格，則MOSFET將不能通過此項(xiàng)測(cè)試。
H3TRB 高溫高濕反偏測(cè)試
高溫高濕反偏測(cè)試，也就是大家熟悉的雙85測(cè)試，主要用于測(cè)試溫濕度對(duì)功率器件長(zhǎng)期特性的影響。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22A-101
測(cè)試條件為：1000個(gè)小時(shí)，環(huán)境溫度85℃，相對(duì)濕度85%，VCE=100V
測(cè)試原理圖如下：
在這一項(xiàng)測(cè)試中，施加的電場(chǎng)主要用于半導(dǎo)體表面離子積累和極性分子的驅(qū)動(dòng)力，但是為了避免測(cè)試過程中漏電流產(chǎn)生的溫升降低相對(duì)濕度，所以對(duì)于MOSFET器件，一般選用100V做為測(cè)試電壓，這樣能將芯片的自加熱溫度控制在2℃以內(nèi)。
應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)表明，許多現(xiàn)場(chǎng)失效與濕度有著不可分割的關(guān)系，因此引入了高壓高溫高濕反偏測(cè)試的討論，即HV-H3TRB測(cè)試。隨著MOSFET芯片的技術(shù)更新以及部分高可靠性應(yīng)用的要求，測(cè)試電壓可調(diào)整為阻斷電壓的100%，保證MOSFET在高濕度應(yīng)用情況下具有更高的可靠性。
HTSL 高溫存儲(chǔ)測(cè)試/LTSL 低溫存儲(chǔ)測(cè)試
高溫存儲(chǔ)測(cè)試和低溫存儲(chǔ)測(cè)試主要用于驗(yàn)證MSFET封裝結(jié)構(gòu)和材料的完整性。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22A-103
測(cè)試條件為：高溫 1000個(gè)小時(shí)，環(huán)境溫度：125℃；低溫 1000個(gè)小時(shí)，環(huán)境溫度：-40℃
測(cè)試原理圖如下：
測(cè)試前后需對(duì)比MOSFET靜態(tài)性能參數(shù)，并檢查封裝外觀是否發(fā)生異常。
IOL 間歇運(yùn)行壽命測(cè)試
對(duì)比溫度循環(huán)，在間歇運(yùn)行壽命測(cè)試中，測(cè)試樣品通過流過半導(dǎo)體的電流進(jìn)行主動(dòng)加熱至最高目標(biāo)溫度，然后關(guān)斷電流，通過風(fēng)冷將樣品主動(dòng)冷卻到最低溫度。循環(huán)時(shí)間大約為2分鐘。此項(xiàng)測(cè)試的目的是確定MOSFET在特定條件下的開關(guān)循環(huán)次數(shù)是否符合規(guī)定。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750 : 1037
測(cè)試條件為：Ta=25°C, ΔTj>105°C, on/off=2min
測(cè)試原理圖如下：
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