MOSFET 作為開關元件，導通時電流流過圖 1 中的回路 1，斷開時無電流流過。因此，MOSFET 的功率損耗主要由傳導損耗和開關損耗組成。
MOSFET 的傳導損耗
MOSFET 的傳導損耗(PCOND_MOSFET)近似等于導通電阻(RDS_ON)、占空比(D)和導通時 MOSFET 的平均電流(IMOSFETAVG)的平方的乘積。
即：
PCOND_MOSFET = IMOSFET_AVG2*RDSON*D
上式給出了開關電源中 MOSFET 傳導損耗的近似值，但它只作為電路損耗的估算值，因為電流線性上升時所產生的功耗大于由平均電流計算得到的功耗（見下方證明）。
對于“峰值”電流，更準確的計算方法是對電流峰值和谷值(圖 2 中的 IV和 IP)之間的電流波形的平方進行積分得到估算值。
圖 2 MOSFET 電流波形
下式給出了更準確的估算損耗的方法，利用 IP和 IV之間電流波形平方的積分替代簡單的平均電流計算的功耗。
也就證明了電流線性上升所產生的功耗大于由平均電流計算得到的功耗！
當然也可以用圖 2 中的實例分別計算兩種估算公式的結果：
例如：如果 Iv為 0.25A，IP為 1.75A，RDS(ON)為 0.1Ω，VOUT為 VIN/2，即 D = 0.5，基于平均電流(1A)的計算結果為：
因此，可以得出一般結論：對于峰均比較?。措娏骷y波率）的電流波形，兩種計算結果的差別很小，利用平均電流計算即可滿足要求。
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