MOS管驅動電路中，寄生電感和輸入電容形成諧振電路，易引發(fā)振蕩。串聯(lián)電阻可減小諧振電路的Q值，衰減振蕩。電阻選擇需考慮寄生電感大小和避免高頻分量丟失。
MOS管G極串聯(lián)電阻如何抑制諧振？
為什么會有振蕩？
前面我們已經(jīng)講過了緣由。
下圖是一個MOS管的驅動電路，串聯(lián)了10Ω電阻
從圖中看似好像沒有電容的存在，但是存在寄生電感：PCB要將線從驅動芯片拉到MOS管。
那電容呢？功率MOS管都有輸入電容的存在，電容值還不小。
當左邊驅動管發(fā)出開關信號，內(nèi)阻一般不會很大，那這個內(nèi)阻可以是多少呢？
我們假設電容1nF，Rs=0.1Ω，RL=1MΩ：
我們知道了，源內(nèi)阻越小，負載阻抗越大，越容易產(chǎn)生諧振尖峰。
如圖，諧振頻率52Mhz處增益達到好幾十倍，MOS管驅動信號可以看作一個階躍信號，頻率分量非常豐富。存在52Mhz附近的頻率，所以會發(fā)生振蕩。
我們分別串聯(lián)不同阻值的電阻來看看區(qū)別，這個電阻可以等效到內(nèi)阻里面。
如圖串聯(lián)：1Ω，10Ω，100Ω電阻，相當于等效電路變成Rs=1.1Ω，Rs=10.1Ω，Rs=100.1Ω，其它參數(shù)不變。
當串聯(lián)1Ω電阻：放大，最大到3倍；
當串聯(lián)10Ω電阻：完全消除振蕩；
當串聯(lián)100Ω電阻：完全消除振蕩，但截止頻率變低，造成驅動信號高頻分量丟失，上升沿變緩，MOS管開啟時間變長。
而G極走線越長，寄生電感越大，越容易引起問題，因此電阻要選擇更大些。
總結：
MOS管在接入電路時，會有引線產(chǎn)生的寄生電感存在，與寄生電容一起會形成振蕩電路，對于開關方波波形，有很多頻率存在，所以可能會與諧振頻率相同或者相近，形成了串聯(lián)諧振電路。
串聯(lián)一個電阻：能夠有效減少振蕩電路的Q值，能夠快速衰減振蕩，避免引起電路故障。
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