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cmos閂鎖效應(yīng)解決,cmos電路的閂鎖效應(yīng)介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2025-06-24 18:48:08
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cmos閂鎖效應(yīng)解決,cmos電路的閂鎖效應(yīng)介紹
一、CMOS閂鎖效應(yīng)及其影響
CMOS閂鎖效應(yīng)(Latch-up)是CMOS晶片中的一種潛在故障。由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通,會(huì)在電源VDD和地VSS之間形成低阻抗通路,導(dǎo)致大電流通過(guò)芯片,有造成永久性損壞的風(fēng)險(xiǎn)。這種效應(yīng)通常由靜電放電(ESD)、瞬態(tài)電源干擾等特定電壓或電流條件觸發(fā),會(huì)導(dǎo)致電路在電源與地之間形成短路,使電路承受遠(yuǎn)大于正常工作電流的沖擊,可能迅速燒毀電路。
二、CMOS閂鎖效應(yīng)原理
CMOS工藝中形成的寄生雙極晶體管結(jié)構(gòu)是閂鎖效應(yīng)的核心原因。在PMOS中,源和漏的重?fù)诫sp+型有源區(qū)、N阱(N-Well)擴(kuò)散區(qū)和P型襯底(P-sub)會(huì)形成縱向寄生的PNP結(jié)構(gòu);在NMOS中,則形成橫向寄生的NPN結(jié)構(gòu)。正常情況下,這些寄生晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),不會(huì)影響電路。然而,當(dāng)外部條件(如電壓過(guò)沖、靜電放電等)導(dǎo)致其中一個(gè)寄生晶體管的集電極電流突然增大到一定值時(shí),該晶體管導(dǎo)通,并通過(guò)正反饋機(jī)制觸發(fā)另一個(gè)寄生晶體管導(dǎo)通,從而在VDD和VSS之間形成低阻抗通路,引發(fā)大電流。
cmos閂鎖效應(yīng)
三、CMOS閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生原因
電壓過(guò)沖:當(dāng)輸出端(Vout)的電位過(guò)沖超過(guò)VDD一定值(如0.7V)時(shí),PNP寄生晶體管會(huì)導(dǎo)通,進(jìn)而觸發(fā)正反饋機(jī)制,導(dǎo)致閂鎖效應(yīng)的發(fā)生。
靜電放電(ESD):靜電放電現(xiàn)象會(huì)在瞬間產(chǎn)生高壓,可能使輸出端電位遠(yuǎn)高于VDD,導(dǎo)致NPN和PNP寄生晶體管同時(shí)導(dǎo)通,形成閂鎖。
電源干擾:瞬態(tài)電源干擾也可能導(dǎo)致器件管腳的電壓超過(guò)電源電壓或低于地,從而觸發(fā)閂鎖效應(yīng)。
電感感應(yīng)回沖:快速變化的電流在電感上會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),這種感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)可能通過(guò)電路耦合到器件管腳,導(dǎo)致電壓過(guò)沖或下沖,進(jìn)而觸發(fā)閂鎖。
四、CMOS閂鎖效應(yīng)解決措施
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(一)工藝制造角度
采用淺槽隔離技術(shù)(STI)、SOI工藝技術(shù)、倒摻雜阱技術(shù)和外延技術(shù)等手段來(lái)減小寄生電阻和電容,降低閂鎖效應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)。這些技術(shù)能夠優(yōu)化晶片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),減少寄生參數(shù)的影響,提高晶片的抗閂鎖能力。
(二)版圖設(shè)計(jì)角度
使用Guardring(保護(hù)環(huán))來(lái)隔離敏感區(qū)域,減少寄生效應(yīng)的影響。保護(hù)環(huán)是一種在版圖設(shè)計(jì)中用于隔離不同電路區(qū)域的結(jié)構(gòu),通過(guò)在敏感區(qū)域周圍設(shè)置保護(hù)環(huán),可以有效阻擋寄生效應(yīng)的傳播,保護(hù)電路的正常工作。
確保電源線和地線足夠強(qiáng)壯,并打滿Contact孔以降低電阻。這樣可以減少電源線和地線上的電壓降,提高電路的供電穩(wěn)定性,降低因電源線和地線電阻引起的閂鎖風(fēng)險(xiǎn)。
注意將NMOS和PMOS拉開一定距離以降低觸發(fā)閂鎖的可能性。合理布局NMOS和PMOS的位置,增加它們之間的間距,可以減小寄生晶體管之間的相互影響,降低閂鎖效應(yīng)發(fā)生的概率。
(三)電路設(shè)計(jì)角度
在電路電源或地變動(dòng)較大的電路附近增加相關(guān)耦合電容以穩(wěn)定電壓。耦合電容可以在一定程度上吸收電路中的瞬態(tài)電壓變化,穩(wěn)定電源和地的電壓,減少電壓波動(dòng)對(duì)電路的影響,從而降低閂鎖效應(yīng)的發(fā)生風(fēng)險(xiǎn)。
在PAD附近增加保護(hù)二極管以防止靜電放電對(duì)電路的影響。保護(hù)二極管可以在靜電放電發(fā)生時(shí),為靜電電流提供一個(gè)低阻抗的放電路徑,避免靜電電壓沖擊電路,保護(hù)電路免受靜電損壞。
在電路的主通路上串聯(lián)大電阻以限制電流的大小。大電阻可以限制電路中的最大電流,防止過(guò)大的電流通過(guò)芯片,降低因大電流引起的閂鎖效應(yīng)風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)也有助于保護(hù)其他電路元件免受過(guò)流損壞。
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