一、接地側(cè)，源極背靠背連接方式
在鋰電池保護(hù)板電路設(shè)計中，采用兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并置于接地側(cè)的結(jié)構(gòu)，雖在傳統(tǒng)保護(hù)電路模塊（PCM）中應(yīng)用較少，但在通信系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)與熱插拔電路中具有獨特價值。此設(shè)計的核心目的在于防止MOSFET的體二極管流過不必要的電流，從而提升電路的穩(wěn)定性和可靠性。通過將源極背靠背相連并置于接地側(cè)，能夠有效控制電流流向，避免潛在的異常電流對電池及電路造成損害。
二、高壓側(cè)，漏極背靠背連接方案
將兩個N溝道功率MOSFET設(shè)置于電源端（高壓側(cè)），以其漏極背靠背連接，是一種常見的PCM設(shè)計方案。其中，Q1擔(dān)當(dāng)電池放電的功率MOSFET角色，而Q2則負(fù)責(zé)電池充電。鑒于這兩個N溝道功率MOSFET位于正端，因此需要兩個充電泵來實現(xiàn)浮動驅(qū)動，以確保電路的正常運(yùn)行和精確控制。
此外，還存在一種變體結(jié)構(gòu)，即兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并置于高壓側(cè)。這種設(shè)計利用公共源極配置，同樣需要借助充電泵進(jìn)行驅(qū)動。此類結(jié)構(gòu)不僅廣泛應(yīng)用于PCM中，還在負(fù)載開關(guān)電路中發(fā)揮著重要作用，滿足不同電路設(shè)計需求。
此外，還存在一種變體結(jié)構(gòu)，即兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并置于高壓側(cè)。這種設(shè)計利用公共源極配置，同樣需要借助充電泵進(jìn)行驅(qū)動。此類結(jié)構(gòu)不僅廣泛應(yīng)用于PCM中，還在負(fù)載開關(guān)電路中發(fā)揮著重要作用，滿足不同電路設(shè)計需求。
三、大電流應(yīng)用，并聯(lián)多個MOSFET策略
隨著電子設(shè)備使用時間和待機(jī)時長的不斷增加，電池容量呈現(xiàn)出逐步擴(kuò)大的趨勢，從常見的3000mAh增至5000mAh甚至更高容量。與此同時，為了實現(xiàn)更短的充電時間以及更快的充電速度，快速充電技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，即通過更大的充電電流為電池充電，充電電流可達(dá)到4A、5A、6A，甚至高達(dá)8A。然而，這也導(dǎo)致PCM內(nèi)部功率MOSFET的功耗顯著增加，溫度隨之升高，對MOSFET的穩(wěn)定運(yùn)行構(gòu)成威脅。為有效降低溫度并保障功率MOSFET的可靠工作，可以采用并聯(lián)兩個或多個MOSFET的方法。
通過并聯(lián)多個MOSFET，能夠分散電流，降低單個MOSFET承受的功耗和發(fā)熱，從而提升整個電路在大電流充放電過程中的性能和可靠性，確保鋰電池保護(hù)板能夠穩(wěn)定地發(fā)揮其保護(hù)作用，延長電池的使用壽命，并增強(qiáng)電子設(shè)備的安全性。
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